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新聞中心: 知識科普; 特色服務(wù); 相關(guān)專業(yè)信息; 生產(chǎn)工藝介紹; 常見問題

知識科普

2023-05-26

氧化物薄膜機械牢固性強，化學性能穩(wěn)定，折射率范圍寬，所以是一類極其重要的薄膜材料。它們的折射率和短波吸收限多數(shù)介于氟化物與硫化物之間。氧化物具有很高的熔點，所以大多數(shù)材料都不易用電阻加熱蒸發(fā)，而需用電子束加熱蒸發(fā)。有些材料在加熱蒸發(fā)過程中，會與坩堝起反應或在高溫時分解。為了改善所制備的氧化物薄膜的性能，所以有時也采用反應蒸發(fā)技術(shù)和離子輔助淀積技術(shù)制備氧化物薄膜。

2023-05-25

蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的區(qū)別

真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射.真空蒸發(fā)鍍膜是在真空度不低于 10-2Pa的環(huán)境中,用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度

2023-05-24

電子束蒸鍍簡介

電子束蒸鍍(Electron Beam Evaporation)是物理氣相沉積的一種.與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同,電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以精準地實現(xiàn)利用高能電子轟擊坩堝內(nèi)靶材,使之融化進而沉積在基片上.電子束蒸鍍可以鍍出高純度高精度的薄膜.

2023-05-23

蒸鍍鍍膜介紹

蒸發(fā)鍍膜通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱為蒸發(fā)鍍膜.這種方法最早由M.法拉第于1857年提出,現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一

2023-05-18

一文讀懂半導體材料

晶體結(jié)構(gòu) 晶體可分為單晶和多晶,若在整塊材料中,原子都是規(guī)則的、周期性的重復排列的,一種結(jié)構(gòu)貫穿整體,這樣的晶體稱為單晶,如石英單晶,硅單晶,巖鹽單晶等.多晶是由大量微小的單晶隨機堆砌成的整塊材料.實際的晶體絕大部分是多晶,如各種金屬材料和電子陶瓷材料.由于多晶中各晶粒排列的相對取向各不相同,其宏觀性質(zhì)往往表現(xiàn)為各向同性,外形也不具有規(guī)則性.半導體材料硅、鍺等都屬金剛石結(jié)構(gòu).金剛石結(jié)構(gòu)可以看成是沿體對角線相互錯開四分之一對角線長度的面心立方元胞套構(gòu)而成的.

2023-05-17

CVD制程具有哪些優(yōu)缺點？

CVD制程優(yōu)點&CVD制程缺點

2023-05-16

CVD化學氣相沉積法反應步驟

CVD化學氣相沉積法反應步驟的介紹

2023-05-15

單一蒸發(fā)源膜厚分布的均勻性

光學薄膜厚度的均勻性是薄膜制備的一項重要指標,它影響著光學元件的光譜特性,并決定著能達到要求的實際有效鍍膜面積.同時,它也是衡量鍍膜裝置性能的一項重要指標.膜厚均勻性是指在基片不同位置或隨著基片位置的改變,所沉積的膜厚的變化情況 .對于高精度、高性能的光學系統(tǒng),或大口徑的光學元件和批量生產(chǎn)的光學元件,膜厚的均勻分布至關(guān)重要.

2023-05-12

真空鍍膜中對蒸發(fā)源的材料要求有哪些?

通常對蒸發(fā)源應考慮蒸發(fā)源的材料和形狀,一般對蒸發(fā)源材料的要求是: 1.熔點高因為蒸發(fā)材料的蒸發(fā)溫度(平衡蒸汽壓為1.3Pa的溫度)多數(shù)在1000~2000℃之間,因此,蒸發(fā)源材料的熔點應高于此溫度. 2.平衡蒸汽壓低

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