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通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級(jí).晶粒越細(xì)小則晶界面積越大,對(duì)性能的影響也越大.對(duì)于 同一種靶材.晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快:而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶測(cè) 射沉積的溥膜的厚度分布更均勻.據(jù)研究發(fā)現(xiàn),若將鈦靶的晶粒尺寸控制在100um以下,且晶粒大小的變化保 持在20%以內(nèi),其濺射所得的薄膜的質(zhì)量可得到大幅度的改善

晶體結(jié)構(gòu) 晶體可分為單晶和多晶.若在整塊材料中,原子都是規(guī)則的、周期性的重復(fù)排列的.一種結(jié)構(gòu)貫穿整體,這樣的 晶體稱為單晶,如石英單晶 硅單晶 巖鹽單晶等,多品是由大量微小的單品隨機(jī)堆砌成的整塊材料 實(shí)際的品體 絕大部分是多晶,如各種金屬材料和電子陶瓷材料.由于多晶中各晶粒排列的相對(duì)取 向各不相同,其宏觀性質(zhì) 往往表現(xiàn)為各向同性.外形也不具有規(guī)則性

光學(xué)薄膜厚度的均勻性是薄膜制備的一項(xiàng)重要指標(biāo),它影響著光學(xué)元件的光譜特性,并決定著能達(dá)到要求的實(shí) 際有效鍍膜面積.同時(shí),它也是衡量鍍膜裝置性能的一項(xiàng)重要指 標(biāo).膜厚均勻性是指在基片不同位置或隨著基 片位置的改變.所沉積的膜厚的變化情況 .對(duì)于高精度、高性能的光學(xué)系統(tǒng),或大口徑的光學(xué)元件和批量生產(chǎn) 的光學(xué)元件,膜厚的均勻分布至關(guān)重要。

鍍膜是半導(dǎo)體及光學(xué)工業(yè)中最為重要的工藝之一.這里會(huì)總體歸納各類鍍膜/薄膜工藝,從原理上了解這些工藝的異同.

加熱方式分為: (1)電阻加熱:(2)感應(yīng)加熱:(3)電子束加熱:(4)雷射加熱:(5)電弧加熱 各自具有的特點(diǎn):?

要產(chǎn)業(yè)大多應(yīng)用于裝飾、光學(xué)、電性、機(jī)械及防蝕等方面,現(xiàn)就比較常見者分述如下

真空鍍膜并非完全不導(dǎo)電，利用了分子在薄膜狀態(tài)下的不連續(xù)性 金屬或金屬化合物都具有導(dǎo)電性，只是導(dǎo)電率不同。但是，當(dāng)金屬或金屬化合物呈一種浦膜的狀態(tài) 時(shí)，其相應(yīng)的物理特性會(huì)有所不同， 常規(guī)的鍍膜材料中，如:銀是銀白效果和導(dǎo)電性能最好的金屬，但它厚度在5納米以下時(shí)，它是不導(dǎo)電 的;鋁的銀白效果和導(dǎo)電性比銀稍微差一些，但它厚度在0.9納米時(shí)，就已經(jīng)具備導(dǎo)電性。

磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項(xiàng)重要指標(biāo)，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性 的因素，以更好的實(shí)現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜，

磁控濺射原理 電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛 向基片。武離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，測(cè)射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基 片上成膜。一次電子在加速飛回基片的過程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠訴靶面的等離子體區(qū) 域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很 長(zhǎng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐 漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，最終沉積在基片上。