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隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體器件的種類不斷增多.原始點接觸晶體管、合金晶體管、合金擴散晶體管、臺面晶體管、硅平面晶體管、TTL集成電路和N溝硅柵平面MOS集成電路等,其制造工藝及工藝之間的各道工序也有所差別.在硅平面晶體管工藝過程中,電較材料的制備技術(shù)是一項關(guān)鍵工藝,典型的制備技術(shù)主要有兩類:一類是電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù),另一類是磁控濺射鍍膜方法.長期以來,在生產(chǎn)實踐中由于電子束蒸發(fā)與磁控濺射這兩種方法制備晶體管微電較各具優(yōu)勢,而且各自采用的設(shè)備和工藝不同,因而其產(chǎn)品質(zhì)量孰優(yōu)孰劣一直存在爭論.本文就這一問題展開研究,詳細分析了常用電較材料Al通過這兩種方法制備成薄膜電較的膜厚控制、附著力、致密性、電導(dǎo)率和折射率等重要性能指標(biāo),測試結(jié)果分析表明磁控濺射鋁膜的綜合性能優(yōu)于電子束蒸發(fā).

電子束蒸發(fā)是一種物理氣相沉積 (PVD)技術(shù),它在真空下利用電子束直接加熱蒸發(fā)材料(通常是顆粒),并將蒸發(fā)的材料輸送到基板上形成一個薄膜.電子束蒸鍍可以鍍出高純度、高精度的薄膜。

鉬及鉬合金濺射靶材已廣泛應(yīng)用于電子部件和電子產(chǎn)品中,如薄膜半導(dǎo)體管–液晶顯示器 (TFT–LCD)、等離子顯示器、場發(fā)射顯示器、觸摸屏,還可用于太陽能電池的背電極、玻璃鍍膜等領(lǐng)域

真空熱壓--真空熱壓法是利用熱能和機械能使陶瓷材料致密化的工藝. 熱等靜壓--熱等靜壓 (HIP)可以認為是加壓燒結(jié)或高溫壓制.與傳統(tǒng)的無壓燒結(jié)相比,熱等靜壓法可以在較低的溫度下(一般為材料熔點的0.5~0.7倍左右)使材料完全致密.它可以很好地控制結(jié)構(gòu),抑制晶粒長大并獲得均勻、各向同性的結(jié)構(gòu). 常溫?zé)Y(jié)--室溫?zé)Y(jié)是1990年代初期發(fā)展起來的一種靶材制備方法.它采用預(yù)壓法(或漿液澆注法)制備高密度靶材預(yù)制件,然后在一定氣氛和溫度下燒結(jié). 冷等靜壓--冷等靜壓(CIP)在常溫下以橡膠或塑料為覆蓋模具材料,以液體為壓力介質(zhì)傳遞超高壓.在低壓氧氣氛的保護下,將ITO粉體通過冷等靜壓壓制成大型陶瓷預(yù)制棒,

濺射鍍膜對靶材質(zhì)量的要求高于傳統(tǒng)材料行業(yè) 當(dāng)基板進入高真空鍍膜室時,如果靶材不夠純凈,在電場和磁場的作用下,濺射過程中靶材中的雜質(zhì)顆粒會附著在基板表面.這會影響薄膜的牢固性,甚至?xí)?dǎo)致薄膜層脫落.因此,靶材純度越高,薄膜性能越好。

濺射靶材的養(yǎng)護不可忽視,因為靶材的清潔度對于濺射鍍膜過程中形成的鍍膜質(zhì)量,以及產(chǎn)品質(zhì)量合格與否有著至關(guān)重要的作用,清除那些在靶材上的殘留物,可減少靶材表面結(jié)瘤,也能提高靶材利用率和生產(chǎn)效率,而且靶材清潔也與后期的養(yǎng)護密不可分.

物理氣相沉積(PVD)是一種薄膜制備技術(shù),可在真空條件下將靶材的表面物理汽化為氣態(tài)原子,分子或部分離子化為離子.然后,通過低壓氣體(或等離子體)將具有特定功能的膜沉積在基板的表面上.物理氣相沉積的主要方法包括真空蒸發(fā),濺射沉積,電弧等離子鍍,離子鍍等.PVD膜沉積速度快,附著力強,衍射性好,應(yīng)用范圍廣.

FIB 技術(shù)是利用靜電透鏡將離子束聚焦成極小尺寸的顯微切割技術(shù),目前商用FIB 系統(tǒng)的粒子束是從液態(tài)金屬離子源中引出.

什么是N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體? N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體各有什么特點?