CVD制程優(yōu)點:
(1)真空度要求不高,甚至不需要真空,如熱噴覆.
(2)高沉積速率,APCVD可以達到1μm/min.
(3)相對于PVD,化學量論組成或合金的鍍膜比較容易達成.
(4)鍍膜的成份多樣化,包括金屬、非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、光電材料、聚合物以及鉆石薄膜等.
(5)可以在復雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷.
(6)厚度的均勻性良好,LPCVD甚至可同時鍍數(shù)十芯片.
CVD制程缺點:
(1)熱力學及化學反應(yīng)機制不易了解或不甚了解.
(2)須在高溫度下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜起作用.
(3)反應(yīng)氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理需格外小心.
(4)反應(yīng)生成物可能殘余在鍍膜,成為雜質(zhì).
(5)基材的遮蔽很難.
南方大區(qū)
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18631125954
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北方大區(qū)
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18631125954
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