簡(jiǎn)單地說(shuō),靶材就是高速核能粒子轟擊的目標(biāo)材料,通過(guò)更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等),即
可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)
目前,(高純度)濺射靶材按照化學(xué)成分不同可分為?
①金屬靶材(純金屬鋁、鈦、銅、鉭等)
2合金靶材(鎳鉻合金、鎳鈷合金等)
③陶瓷化合物靶材(氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等)
按開關(guān)不同可分為:長(zhǎng)靶、方靶、圓靶
按應(yīng)用領(lǐng)域不同可分為:半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、工具改性靶
材、電子器件靶材、其他靶材.
濺射:即集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的工藝, 靶材:就是濺射工藝中必不可少的重要原材料,那么,不同應(yīng)用
領(lǐng)域,對(duì)材料的選擇及性能要求也有一定差異,具體如下:
半導(dǎo)體內(nèi)部是由長(zhǎng)達(dá)數(shù)萬(wàn)米的金屬配線而組成,而濺射靶材則是用于制作這些線的關(guān)鍵消料材料
濺射靶材是半導(dǎo)體晶圓制造環(huán)節(jié)核心的高難度材料,芯片對(duì)測(cè)射靶材的要求非常之高,要求靶材純度很高.一般
在5N(99.999%)以上
5N就是表示有5個(gè)9,4N表示有4個(gè)9即99.99%,哪個(gè)純度更高,一看就明白了。
在提純領(lǐng)域,小數(shù)點(diǎn)后面每多一個(gè)9,難度是呈指數(shù)級(jí)別的增加,技術(shù)門檻也就更高.
濺射靶材是決定半導(dǎo)體良品率的最重要因素,所以半導(dǎo)體上的運(yùn)用所需要的精密程度，純度是最高的,濺射靶
材的純度和精密程度都會(huì)自接影響半導(dǎo)體件能,采用差的測(cè)射靶材最直接的后果就是要致半導(dǎo)體短路 因我
們?cè)谡劙雽?dǎo)體濺射靶材的時(shí)候,往往談得是高純?yōu)R射靶材,這些靶材就元素可以分為鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭
靶、鎢鈦靶材等
了解了高純?yōu)R射靶材,了解了金屬靶材的鋁、鈦、銅、鉭,那怎么判斷哪個(gè)金屬應(yīng)用幾寸晶圓上,哪個(gè)用在先進(jìn)
制造工藝上?
半導(dǎo)體昂圓制造中.200mm(8寸)及以下昂圓制造通常以鋁制程為主,使用的靶材以鋁、鈦元素為
主.300mm(12寸)晶圓制造,多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù),主要使用銅，鉬靶材
同時(shí)也,用鈦材料作為高介電常數(shù)的介質(zhì)金屬機(jī)極技術(shù)的主要材料,鋁材料作為晶圓接合焊盤工藝的主要材料
總體來(lái)看,隨著芯片的使用范圍越來(lái)越廣泛,芯片市場(chǎng)要求數(shù)量增長(zhǎng).對(duì)干鋁，鈦、鉭、銅這四種業(yè)界主流的活
膜金屬材料的需求也一定會(huì)有增長(zhǎng),目目前從技術(shù)上及經(jīng)濟(jì)規(guī)模上還未找到能夠替代這四種蒲膜金屬材料的
其他方案,所以這四種材料目前看不到被替代的風(fēng)險(xiǎn)。
