使用機械的、機電的、熱力的方法來產生形成固態(tài)薄膜.通常是物理氣相沉積的方法Physical vapor
deposition(PVD).以下是常見的物理鍍膜工藝:
熱蒸發(fā)鍍膜(Thermal evaporation):將薄膜物質加熱蒸發(fā).在比蒸發(fā)溫度低的基本表面上減結成固體形成薄膜
的方法.
電子束蒸發(fā)鍍膜(Electron beam evaporation)通過電子束轟擊鍍膜材料加熱并使材料蒸發(fā),并沉積在基板
上.優(yōu)點是加熱集中,并能達到很高的溫度來處理高熔點的材料
離子束輔助沉積(lon assisteddeposition IAD):類似于E-beam evaporation工藝,改善的地方是用離子束來
導向及加速氣化的鍍膜材料,并目離子束在材料沉積的過程中幫助沉積以及使沉積膜緊密化,就像小小的錘了
一樣.
電阻加熱菜發(fā)鍍膜(Resistive heating evaporation):通過高電流電阻加熱使鍍膜材料氣化,不適用于高過1600
度熔點的材料圖片分子束外延Molecular beam epitaxy(MBE)
濺射鍍膜(Sputtering):高能量的原子、分子與固體在碰撞后,原子會被趕出固體表面,這種現象稱為濺射(
Sputter)或者是濺鍍( Sputtering ).被碰撞的固體稱為靶材(Target).通過高能呈的原子、分子會反復碰撞,靶
材會被加熱,為了防止溶解,會從背面進行水冷
傳統(tǒng)濺射.通過高電壓使靶材周圍的氬氣離子化,并通過高電位差獲得加速,并轟擊靶材表面,轟出表面的靶材
原子積聚在基板上,形成薄膜
射頻濺射 RF sputtering.射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子或電子轟擊靶材、濺射出靶材原子從
而沉積在接地的基板表面的技術.相比傳統(tǒng)濺射的優(yōu)點是不會產生正電荷積聚,降低電位差,從而終止濺射
離子束濺射 lon beam sputtering(IBS),來自于獨立離子槍的高能量離子束轟擊靶材表面,濺鍍好的材料沉積
在基板上,其間形成著的鍍膜化學計量和靶材一模一樣
脈沖激光沉積(Pulsed laserdeposition PLD):是一種利用聚焦后高功率脈沖激光對真空中靶材進行轟擊,由
于激光能量極高,使靶材氣化形成等離子體Plasma plume,然后氣化的物質沉淀在襯底上形成薄膜
結語
這里給出的是半導體及光學鍍膜工藝的一個最廣泛的分類介紹
